1、一功函数和费米能级的基本定义 功函数是指电子从金属表面逸出所需的最小能量换句话说，它代表了金属对电子的束缚强度费米能级则代表了半导体或金属中电子的平均能量在绝对零度以上，费米能级是所有电子占据能级的最高能级二功函数和费米能级的关系 功函数和费米能级的关系可以从两个方面。

2、WsEnEcEFsEvN型半导体E0WsEcEFsEn式中χWsEnEcEFsEvEnEcEFsP型半导体EpEFsEvWsEoEFsEgEp二金属与半导体的接触及接触电势差1阻挡层接触设想有一块金属和一块N型半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即WmWs接触前EFsEFmE0xWsEnEcEFsEFsEFmWmWsWmEFmEv接触后。

3、尤其在金属中，功函数被视为一个重要的物理参数，其大小常常与金属原子的自由电离能有关，大约是其一半功函数在热发射理论中同样重要，与电子从热能而非光子获得能量的过程相关例如，在真空管中，像钨这样的金属，其热功函数约为45电子伏特为了实现电子的发射，需要对灯丝加热到20002700K的。

4、逸出功又叫功函数或脱出功，是指电子从金属表面逸出时克服表面势垒必须做的功常用单位是电子伏特eV金属材料的逸出功不但与材料的性质有关，还与金属表面的状态有关，在金属表面涂覆不同的材料可以改变金属逸出功的大小百度百科。

5、2 金属的功函数金属特性 不同金属的功函数不同，即需要光子的能量大于特定金属的功函数光子能量高于功函数时，才能够克服金属对电子的束缚力3 光的强度光强度 光的强度越大，单位时间内照射到金属表面的光子数量越多，激发的电子数目也越多虽然光强度的影响并非直接影响光电效应的。

6、逸出功公式是12mv2=eUc当光子的频率强度小于等于临界点时，电子动能E=12mv#178为0，得w#8320=hvW#8320称为金属电子的逸出功，其常用单位为电子伏特它表征要使处于绝对零度下的金属中具有最大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量遏止电压在光电效应中，当所加电压U为0时。

7、金属和半导体首次接触，金属会将半导体在界面位置的ec ev ef三点固定，然后强行抬升或降低半导体的ef基准线使其对齐金属的efm这个抬升或下压同样会作用在半导体的ec和ev，形成界面处的能带弯曲，比如上翘或下滑，以电子流动举例Ec上翘会爬坡肖特基势垒电阻增大，如果下坡则是有利于电子收集的ohm接触。

8、吸附气体后金属功函数减小是因为表面发生了电荷转移吸附前后表面之所以功函数发生变化是吸附后吸附原子与吸附表面发生了电荷转移，导致表面偶极矩发生变化的缘故掺杂分N型掺杂和P型掺杂，由于多了或者少了一个电子，会引起电荷的重新分布。

9、金属的标准电极电势和它的功函数有联系吗 #xE768 我来答 分享 微信扫一扫 新浪微博 空间 举报 浏览14 次 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料也可直接点“搜索资料”搜索整个问题 金属 电极电势 函数 搜索资料 本地图片 图片链接 提交回答 匿名 回答自动保存中。

10、即WmE0EFmE0为真空中电子的能量，又称为真空能级E0WmEFm金属铯Cs的功函数最低193eV，Pt最高为536eV2半导体的功函数WsE0χWsE0与费米能级之差称为半导体的功函数EcEnEFs即WsE0EFs用表示从Ec到E0的能量间隔EvE0Ec称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的。

11、形成欧姆接触的条件1 金属的功函数与半导体的功函数接近功函数是电子从费米能级跃迁到真空能级所需的能量当金属与半导体的功函数相近时，电子可以容易地从金属流入半导体或从半导体流入金属，形成欧姆接触2 半导体表面重掺杂重掺杂可以增加半导体中的载流子浓度，从而降低接触电阻，有利于形成。

12、单位电子伏特，eV 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 Ag 426 Al 428 As 375 Au 51 B 445 Ba 27 Be 498 Bi 422 C 5 Ca 287 Cd 422 Ce 29 Co 5 Cr 4。

13、在光电效应中，电子并非始终能进入电路当没有施加反向电压即阴极接电源正极，阳极接负极时，即使在零电压下，电子仍可能受到电场作用只有当形成反向电场，电子减速到一定程度，电流才会变为零，这时的电压称为遏止电压它体现了光电子的初始速度特征逸出功，又名功函数或脱出功，是电子克服金。

14、从而，低功函的材料将带有少量正电荷而高功函材料则会变得具有少量电负性最终得到的静电势称为内建场记为Vbi这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的 屏蔽长度。

15、在固体物理学中，有一个关键的概念叫做功函数，它又被称为逸出功或工作函数功函数的定义相当直观，它是衡量将一个电子从固体内部移动到表面时，所必需的最小能量这个能量大致相当于金属中单个电子从原子能级脱离时能量的一半值得注意的是，功函数的数值大小对于材料的性质有重要影响，特别是对于。

16、在半导体器件中，功函数是指表征表面势垒高低的物理量，即在材料表面形成的势垒高度而重掺杂P型半导体会引入更多的空穴浓度，因此会产生更高的表面势垒，从而导致较高的功函数与之相比，金属的功函数相对较低，因为金属一般具有很高的电子密度，其导带中填充有大量的电子，所以其势垒相对较低。