形成欧姆接触的条件1 金属的功函数与半导体的功函数接近功函数是电子从费米能级跃迁到真空能级所需的能量当金属与半导体的功函数相近时，电子可以容易地从金属流入半导体或从半导体流入金属，形成欧姆接触2 半导体。

金属的功函数大于半导体的功函数，形成阻挡层，即整流作用金属与p型半导体接触，金属的功函数小于于半导体的功函数，形成阻挡层但在实际情况中，表面态不可忽略，会直接影响阻挡层和反阻挡层的形成。

氟对wfmetal tial功函数的影响如下氟对钨基金属薄膜的功函数有显著的影响钨基金属薄膜是一种具有广泛应用前景的电子材料然而，其功函数较高，限制了其在某些领域的应用功函数是电子从金属表面逸出所需的最小能量；这里“立即”一词表示最终电子位置从原子尺度上远离表面但从宏观尺度上依然靠近固体功函数不是材料体相的本征性质，更准确的说法应为材料表面的性质比如表面暴露晶面情况和受污染程度功函数是金属的重要属性功函数的大；功函数匹配是功函数匹配workfunction又称功函逸出功，在固体物理中被定义成把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量功函数匹配指的是金属的功函数，非金属固体很少会用到功函数的定义，而是用。

有材料表面的性质，如表面暴露晶面情况和受污染程度，功函数是金属的重要属性，功函数的大小通常是金属自由原子电离能的二分之一；金属和半导体首次接触，金属会将半导体在界面位置的ec ev ef三点固定，然后强行抬升或降低半导体的ef基准线使其对齐金属的efm这个抬升或下压同样会作用在半导体的ec和ev，形成界面处的能带弯曲，比如上翘或下滑，以电子流动；单位电子伏特，eV 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 Ag 426 Al 428 As 375 Au 51 B 445 Ba 27 Be 498 Bi。

约84电子伏特功函数是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出所需的最小能量二氧化硅的功函数大约为84电子伏特功函数是材料表面的性质，受到表面暴露晶面情况和受污染程度等因素的影响在金属中，功函数大约是金属。